Vishay Siliconix - SI8817DB-T2-E1

KEY Part #: K6397559

SI8817DB-T2-E1 価格設定(USD) [534621個在庫]

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品番:
SI8817DB-T2-E1
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8817DB-T2-E1 製品の属性

品番 : SI8817DB-T2-E1
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 76 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 19nC @ 8V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 615pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-Microfoot
パッケージ/ケース : 4-XFBGA

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