現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
  5. FQPF8N80CYDTU

ON Semiconductor - FQPF8N80CYDTU

KEY Part #: K6398021

FQPF8N80CYDTU 価格設定（USD） [37862個在庫]

  • 1 pcs$0.97835
  • 10 pcs$0.88261
  • 100 pcs$0.70914
  • 500 pcs$0.55156
  • 1,000 pcs$0.45700
品番:
FQPF8N80CYDTU
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQPF8N80CYDTU electronic components. FQPF8N80CYDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF8N80CYDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF8N80CYDTU 製品の属性

品番 : FQPF8N80CYDTU
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.55 Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2050pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 59W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F-3 (Y-Forming)
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

最新ニュース

ON Semiconductor LV8824QAGEVK Evaluation Kit
ON Semiconductor FUSB308BV USB Type-C® Port Controller with USB-PD
ON Semiconductor FSA515 Depletion Switch
ON Semiconductor FUSB380C Autonomous USB Type-C® Cable Marker
ON Semiconductor NVTFS010N10MCL 100V 53A Automotive Power MOSFET
ON Semiconductor NCV8406 65V 7.0A Low Side Driver
ON Semiconductor NCP1096 High Power PoE-PD w/ Internal Hot Swap FET
ON Semiconductor NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET
ON Semiconductor NCP187 1.2A Low Dropout Linear Voltage Regulator
ON Semiconductor LMV321, NCV321, LMV358, & LMV324 CMOS Op Amps
ON Semiconductor FSL538AFLYGEVB Evaluation Board
ON Semiconductor LV8549MCGEVB Evaluation Board
あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK7A60W5,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS.

  • 2SK3892

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D.

  • IRFIZ48NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP.

  • TK10A60E,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V TO220SIS.

ホットパーツ