IXFX200N10P 価格設定（USD） [9721個在庫]
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- 30 pcs$4.66349
- 品番:
- IXFX200N10P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFX200N10P electronic components. IXFX200N10P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX200N10P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFX200N10P 製品の属性
品番 :
IXFX200N10P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
シリーズ :
HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
235nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
830W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PLUS247™-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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