[12667個在庫]
- 品番:
- IRLML6302TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLML6302TR electronic components. IRLML6302TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLML6302TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLML6302TR 製品の属性
品番 :
IRLML6302TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
780mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.7V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.6nC @ 4.45V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
97pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
540mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Micro3™/SOT-23
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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