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- 品番:
- IRLML6302TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLML6302TR electronic components. IRLML6302TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLML6302TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLML6302TR 製品の属性
品番 :
IRLML6302TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
780mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.7V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.6nC @ 4.45V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
97pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
540mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Micro3™/SOT-23
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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