NTHC5513T1G 価格設定（USD） [421931個在庫]
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- 品番:
- NTHC5513T1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 20V 1206A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTHC5513T1G electronic components. NTHC5513T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHC5513T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTHC5513T1G 製品の属性
品番 :
NTHC5513T1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N/P-CH 20V 1206A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.9A, 2.2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
180pF @ 10V
パワー-最大 :
1.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
ChipFET™
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