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- 品番:
- IRLR014NTRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 10A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLR014NTRPBF electronic components. IRLR014NTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR014NTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLR014NTRPBF 製品の属性
品番 :
IRLR014NTRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
140 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.9nC @ 5V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
265pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
28W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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