RZM002P02T2L 価格設定（USD） [1784759個在庫]
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- 品番:
- RZM002P02T2L
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RZM002P02T2L electronic components. RZM002P02T2L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RZM002P02T2L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RZM002P02T2L 製品の属性
品番 :
RZM002P02T2L
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.4nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
115pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
VMT3
パッケージ/ケース :
SOT-723
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