IXFR18N90P 価格設定（USD） [10025個在庫]
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- 210 pcs$4.08055
- 品番:
- IXFR18N90P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFR18N90P electronic components. IXFR18N90P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR18N90P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR18N90P 製品の属性
品番 :
IXFR18N90P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
シリーズ :
HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
6V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
97nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5230pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
200W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS247™
パッケージ/ケース :
ISOPLUS247™
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