ZVNL120GTA 価格設定（USD） [200904個在庫]
- 1 pcs$0.18411
- 1,000 pcs$0.16532
- 品番:
- ZVNL120GTA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZVNL120GTA electronic components. ZVNL120GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZVNL120GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZVNL120GTA 製品の属性
品番 :
ZVNL120GTA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
320mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
3V, 5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10 Ohm @ 250mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
85pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-223
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- 2N7002PM,315
- PHD34NQ10T,118
- NVMFS6B75NLWFT3G
- SFT1341-E
- IXFE48N50QD3
- GP1M008A080H
- GP1M003A040CG
- NTTFS4C56NTAG
- SI8405DB-T1-E3
- PHK04P02T,518
- FDMS2504SDC
- IRF6797MTR1PBF
- IRFS4010PBF
- NTD110N02R-001G
- BSS119 E7796
- HUF75332S3ST
- FQU5N50TU
- FDR840P
- IRLR3714TRLPBF
- IRLR3802PBF
- APT18F60S
- IRF540ZS
- SI7856ADP-T1-E3
- IRL1404ZS
- NTR4501NT3
- FQD9N08TM
- IRFR3711ZTRL
- IRFI1310N
- IRFR13N20DTRL
- IRFBC20STRL
- IRF7521D1
- IRFIBE20G
- PH7030L,115
- STT3PF20V
- IXFH86N30T
- FCH125N60E
- SQM50N04-4M0L_GE3
- IXTP2N80P
- TPC8067-H,LQ(S
- SQ2398ES-T1_GE3