Infineon Technologies - IRFB23N20DPBF

KEY Part #: K6399048

IRFB23N20DPBF 価格設定(USD) [44532個在庫]

  • 1 pcs$0.84038
  • 10 pcs$0.76011
  • 100 pcs$0.61093
  • 500 pcs$0.47518
  • 1,000 pcs$0.39372

品番:
IRFB23N20DPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFB23N20DPBF electronic components. IRFB23N20DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB23N20DPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB23N20DPBF 製品の属性

品番 : IRFB23N20DPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1960pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 170W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TN0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • VN2410L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • IRFI9520GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP.