Transphorm - TPH3205WSBQA

KEY Part #: K6398994

TPH3205WSBQA 価格設定(USD) [4321個在庫]

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  • 10 pcs$10.85188
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品番:
TPH3205WSBQA
メーカー:
Transphorm
詳細な説明:
GANFET N-CH 650V 35A TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH3205WSBQA 製品の属性

品番 : TPH3205WSBQA
メーカー : Transphorm
説明 : GANFET N-CH 650V 35A TO247
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 62 mOhm @ 22A, 8V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.6V @ 700µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 42nC @ 8V
Vgs(最大) : ±18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2200pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3

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