説明 :
MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
600mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
-
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
1.6 Ohm @ 300mA, 10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
15nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
250pF @ 25V
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
パッケージ/ケース :
4-DIP (0.300", 7.62mm)