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- 品番:
- MTY100N10E
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 100A TO-264.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor MTY100N10E electronic components. MTY100N10E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MTY100N10E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MTY100N10E 製品の属性
品番 :
MTY100N10E
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
378nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
10640pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-264
パッケージ/ケース :
TO-264-3, TO-264AA
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