[1225個在庫]
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DA(STA4,Q,M) electronic components. TK4A60DA(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK4A60DA(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK4A60DA(STA4,Q,M) 製品の属性
品番 :
TK4A60DA(STA4,Q,M)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
シリーズ :
π-MOSVII
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
490pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220SIS
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK753R4-30B,127
- NP180N055TUJ-E2-AY
- NVMFS5C645NLWFT3G
- AO4476A_103
- NTMFS4C06NT1G-001
- 5HP01C-TB-E
- VS-FA38SA50LCP
- ZXM62P03E6TC
- RJK2508DPK-00#T0
- 2SK4197FS
- SIE820DF-T1-GE3
- IPD60R600CPBTMA1
- AOD456
- AO4409
- SI4833ADY-T1-GE3
- SI3456CDV-T1-E3
- SI1037X-T1-E3
- AUIRFZ44ZS
- IRF7459TRPBF
- NTD60N02RT4G
- BS170_J35Z
- 2SK1374G0L
- FDC3612_F095
- IRFR3806PBF
- NTD3055L104G
- NTD3055-150G
- IRF6622TR1PBF
- IPP120N06NGAKSA1
- FQPF3N80
- IRFBC40
- IRF510S
- BUK953R2-40B,127
- STP11NM60N
- STD12NF06-1
- SUM90220E-GE3
- IPP45N06S4L08AKSA2
- PSMN3R5-40YSDX
- RQ1E100XNTR
- AO4455
- PSMN6R0-30YL,115