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ON Semiconductor - FDB2614

KEY Part #: K6405824

FDB2614 価格設定（USD） [34373個在庫]

  • 1 pcs$1.20500
  • 800 pcs$1.19901
品番:
FDB2614
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDB2614 electronic components. FDB2614 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB2614, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB2614 製品の属性

品番 : FDB2614
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 62A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 27 mOhm @ 31A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 99nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 7230pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 260W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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