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- 品番:
- IRF820L
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRF820L electronic components. IRF820L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF820L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF820L 製品の属性
品番 :
IRF820L
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
360pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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