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ON Semiconductor - FQD2N60CTM-WS

KEY Part #: K6403479

FQD2N60CTM-WS 価格設定（USD） [217274個在庫]

  • 1 pcs$0.17024
品番:
FQD2N60CTM-WS
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 1.9A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQD2N60CTM-WS electronic components. FQD2N60CTM-WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD2N60CTM-WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD2N60CTM-WS 製品の属性

品番 : FQD2N60CTM-WS
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 1.9A
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 235pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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