[2949個在庫]
- 品番:
- APT25SM120S
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- POWER MOSFET - SIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APT25SM120S electronic components. APT25SM120S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT25SM120S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT25SM120S 製品の属性
品番 :
APT25SM120S
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
POWER MOSFET - SIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
175 mOhm @ 10A, 20V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
72nC @ 20V
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
175W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D3
パッケージ/ケース :
D-3 Module
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