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- 品番:
- FQP13N06
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 13A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQP13N06 electronic components. FQP13N06 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP13N06, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQP13N06 製品の属性
品番 :
FQP13N06
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 13A TO-220
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
135 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
310pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
45W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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