STMicroelectronics - STL16N65M5

KEY Part #: K6404309

[2056個在庫]


    品番:
    STL16N65M5
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in STMicroelectronics STL16N65M5 electronic components. STL16N65M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL16N65M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STL16N65M5 製品の属性

    品番 : STL16N65M5
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT
    シリーズ : MDmesh™ V
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 299 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±25V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1250pF @ 100V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 3W (Ta), 90W (Tc)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : PowerFlat™ (8x8) HV
    パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

    あなたも興味があるかもしれません
    • CPH6355-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 30V 3A CPH6.

    • AUIRLR024Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • AUIRFR4292

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

    • IRFR7440PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

    • IPA50R380CE

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.

    • IPA50R190CE

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.