Vishay Siliconix - SIZ328DT-T1-GE3

KEY Part #: K6522486

SIZ328DT-T1-GE3 価格設定(USD) [229895個在庫]

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品番:
SIZ328DT-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ328DT-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIZ328DT-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
シリーズ : TrenchFET® Gen IV
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
パワー-最大 : 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-Power33 (3x3)

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