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ON Semiconductor - FDB3652

KEY Part #: K6418516

FDB3652 価格設定（USD） [67009個在庫]

  • 1 pcs$0.58642
  • 800 pcs$0.58350
品番:
FDB3652
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDB3652 electronic components. FDB3652 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB3652, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB3652 製品の属性

品番 : FDB3652
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 9A (Ta), 61A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 61A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2880pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 150W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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