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Microsemi Corporation - JAN2N6849

KEY Part #: K6403767

[2243個在庫]

    品番:
    JAN2N6849
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
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    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN2N6849 electronic components. JAN2N6849 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN2N6849, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN2N6849 製品の属性

    品番 : JAN2N6849
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
    シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/564
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6.5A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 320 mOhm @ 6.5A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 34.8nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 800mW (Ta), 25W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-39
    パッケージ/ケース : TO-205AF Metal Can

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