[8355個在庫]
- 品番:
- IRFIZ24E
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFIZ24E electronic components. IRFIZ24E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFIZ24E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFIZ24E 製品の属性
品番 :
IRFIZ24E
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
14A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
71 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
370pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
29W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB Full-Pak
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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