Toshiba Semiconductor and Storage - TK6Q65W,S1Q

KEY Part #: K6419089

TK6Q65W,S1Q 価格設定(USD) [91009個在庫]

  • 1 pcs$0.58952
  • 75 pcs$0.47262
  • 150 pcs$0.41353
  • 525 pcs$0.30336
  • 1,050 pcs$0.23950

品番:
TK6Q65W,S1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W,S1Q electronic components. TK6Q65W,S1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK6Q65W,S1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK6Q65W,S1Q 製品の属性

品番 : TK6Q65W,S1Q
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
シリーズ : DTMOSIV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 180µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 390pF @ 300V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 60W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Stub Leads, IPak

あなたも興味があるかもしれません