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ON Semiconductor - FQI3N30TU

KEY Part #: K6410828

[14001個在庫]

    品番:
    FQI3N30TU
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FQI3N30TU electronic components. FQI3N30TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI3N30TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQI3N30TU 製品の属性

    品番 : FQI3N30TU
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
    シリーズ : QFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 300V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.2A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 2.2 Ohm @ 1.6A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 7nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 230pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 3.13W (Ta), 55W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK (TO-262)
    パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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