IPW60R190P6FKSA1 価格設定（USD） [26270個在庫]
- 1 pcs$1.56889
- 品番:
- IPW60R190P6FKSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPW60R190P6FKSA1 electronic components. IPW60R190P6FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R190P6FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPW60R190P6FKSA1 製品の属性
品番 :
IPW60R190P6FKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
シリーズ :
CoolMOS™ P6
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
190 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 630µ
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1750pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
151W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO247-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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