ON Semiconductor - FQPF9N25CYDTU

KEY Part #: K6419256

FQPF9N25CYDTU 価格設定(USD) [99980個在庫]

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品番:
FQPF9N25CYDTU
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF9N25CYDTU 製品の属性

品番 : FQPF9N25CYDTU
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 250V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8.8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 710pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 38W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F-3 (Y-Forming)
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads