Toshiba Semiconductor and Storage - TK100A08N1,S4X

KEY Part #: K6392754

TK100A08N1,S4X 価格設定(USD) [24740個在庫]

  • 1 pcs$1.82891
  • 50 pcs$1.47141
  • 100 pcs$1.34061
  • 500 pcs$1.02990
  • 1,000 pcs$0.86859

品番:
TK100A08N1,S4X
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK100A08N1,S4X electronic components. TK100A08N1,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK100A08N1,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK100A08N1,S4X 製品の属性

品番 : TK100A08N1,S4X
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
シリーズ : U-MOSVIII-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9000pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 45W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220SIS
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません