ON Semiconductor - NTNS3A65PZT5G

KEY Part #: K6416035

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品番:
NTNS3A65PZT5G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTNS3A65PZT5G 製品の属性

品番 : NTNS3A65PZT5G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 281mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.1nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 44pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 155mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
パッケージ/ケース : SC-101, SOT-883

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