ON Semiconductor - NTNS3A65PZT5G

KEY Part #: K6416035

NTNS3A65PZT5G 価格設定(USD) [1000228個在庫]

  • 1 pcs$0.04066
  • 8,000 pcs$0.04046

品番:
NTNS3A65PZT5G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTNS3A65PZT5G electronic components. NTNS3A65PZT5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTNS3A65PZT5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTNS3A65PZT5G 製品の属性

品番 : NTNS3A65PZT5G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 281mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.1nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 44pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 155mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
パッケージ/ケース : SC-101, SOT-883

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.