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- 品番:
- IRFR2307ZPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFR2307ZPBF electronic components. IRFR2307ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR2307ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR2307ZPBF 製品の属性
品番 :
IRFR2307ZPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
42A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
16 mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
75nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2190pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
110W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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