ON Semiconductor - NVMFS6B75NLWFT1G

KEY Part #: K6401356

NVMFS6B75NLWFT1G 価格設定(USD) [3079個在庫]

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品番:
NVMFS6B75NLWFT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6B75NLWFT1G 製品の属性

品番 : NVMFS6B75NLWFT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Ta), 28A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 740pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.5W (Ta), 56W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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