Vishay Siliconix - IRFR9110TRPBF

KEY Part #: K6411802

IRFR9110TRPBF 価格設定(USD) [204462個在庫]

  • 1 pcs$0.18090
  • 2,000 pcs$0.15288

品番:
IRFR9110TRPBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRFR9110TRPBF electronic components. IRFR9110TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR9110TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR9110TRPBF 製品の属性

品番 : IRFR9110TRPBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.1A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.7nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 200pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.