IRF630STRRPBF 価格設定（USD） [93019個在庫]
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- 800 pcs$0.39748
- 品番:
- IRF630STRRPBF
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRF630STRRPBF electronic components. IRF630STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF630STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF630STRRPBF 製品の属性
品番 :
IRF630STRRPBF
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
43nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
800pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3W (Ta), 74W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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