IXFA7N100P 価格設定（USD） [24024個在庫]
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- 50 pcs$1.97275
- 品番:
- IXFA7N100P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFA7N100P electronic components. IXFA7N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA7N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFA7N100P 製品の属性
品番 :
IXFA7N100P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK
シリーズ :
HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
6V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2590pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (IXFA)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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