ZXMN6A09DN8TA 価格設定（USD） [73350個在庫]
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- 500 pcs$0.48291
- 品番:
- ZXMN6A09DN8TA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8TA electronic components. ZXMN6A09DN8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A09DN8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN6A09DN8TA 製品の属性
品番 :
ZXMN6A09DN8TA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24.2nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1407pF @ 40V
パワー-最大 :
1.25W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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