Vishay Siliconix - IRLL110

KEY Part #: K6414722

[8365個在庫]


    品番:
    IRLL110
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Siliconix IRLL110 electronic components. IRLL110 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLL110, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLL110 製品の属性

    品番 : IRLL110
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.5A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4V, 5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 540 mOhm @ 900mA, 5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.1nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 250pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 2W (Ta), 3.1W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223
    パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

    あなたも興味があるかもしれません
    • 94-2335

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

    • IRLR8503

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRFR18N15D

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.

    • IRLR3303TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

    • IRLR3103TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

    • IRFR3303TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.