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- 品番:
- SI3475DV-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI3475DV-T1-E3 electronic components. SI3475DV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3475DV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI3475DV-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI3475DV-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
950mA (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.61 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
500pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta), 3.2W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSOP
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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