NXP USA Inc. - 2N7002BKT,115

KEY Part #: K6415250

[12474個在庫]


    品番:
    2N7002BKT,115
    メーカー:
    NXP USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in NXP USA Inc. 2N7002BKT,115 electronic components. 2N7002BKT,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002BKT,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2N7002BKT,115 製品の属性

    品番 : 2N7002BKT,115
    メーカー : NXP USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 290mA (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.6nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 50pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 260mW (Ta)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SC-75
    パッケージ/ケース : SC-75, SOT-416

    あなたも興味があるかもしれません
    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.

    • PMN23UN,165

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.

    • PMN34UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP.

    • PMN25EN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP.

    • PMN27UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP.