STP10NK70Z 価格設定（USD） [35025個在庫]
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- 10 pcs$1.52703
- 100 pcs$1.25216
- 品番:
- STP10NK70Z
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP10NK70Z electronic components. STP10NK70Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP10NK70Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP10NK70Z 製品の属性
品番 :
STP10NK70Z
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220
シリーズ :
SuperMESH™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
850 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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