Vishay Siliconix - SI6415DQ-T1-E3

KEY Part #: K6404971

SI6415DQ-T1-E3 価格設定(USD) [113709個在庫]

  • 1 pcs$0.32528
  • 3,000 pcs$0.28444

品番:
SI6415DQ-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI6415DQ-T1-E3 electronic components. SI6415DQ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6415DQ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI6415DQ-T1-E3 製品の属性

品番 : SI6415DQ-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 19 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA (Min)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-TSSOP
パッケージ/ケース : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

あなたも興味があるかもしれません