メーカー :
GeneSiC Semiconductor
技術 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
-
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 50A
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
7209pF @ 800V
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AB