IXFR80N60P3 価格設定（USD） [8048個在庫]
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- 60 pcs$5.63207
- 品番:
- IXFR80N60P3
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFR80N60P3 electronic components. IXFR80N60P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR80N60P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR80N60P3 製品の属性
品番 :
IXFR80N60P3
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
シリーズ :
HiPerFET™, Polar3™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
48A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
76 mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
13100pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
540W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS247™
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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