Infineon Technologies - IPI040N06N3GXKSA1

KEY Part #: K6399830

IPI040N06N3GXKSA1 価格設定(USD) [53440個在庫]

  • 1 pcs$0.79021
  • 10 pcs$0.70157
  • 100 pcs$0.55436
  • 500 pcs$0.42992
  • 1,000 pcs$0.32107

品番:
IPI040N06N3GXKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 90A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPI040N06N3GXKSA1 electronic components. IPI040N06N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI040N06N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI040N06N3GXKSA1 製品の属性

品番 : IPI040N06N3GXKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 60V 90A
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 90µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 11000pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 188W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO262-3
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

あなたも興味があるかもしれません
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • AUIRFR5410

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.

  • IRFI840GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

  • IRLIZ14GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP.