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ON Semiconductor - BFL4026-1E

KEY Part #: K6398180

BFL4026-1E 価格設定（USD） [28253個在庫]

  • 1 pcs$1.45872
  • 350 pcs$0.89315
品番:
BFL4026-1E
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 900V 3.5A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor BFL4026-1E electronic components. BFL4026-1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BFL4026-1E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BFL4026-1E 製品の属性

品番 : BFL4026-1E
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 900V 3.5A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 650pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2W (Ta), 35W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F-3FS
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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