PMV45EN2VL 価格設定（USD） [1056857個在庫]
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- 品番:
- PMV45EN2VL
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMV45EN2VL electronic components. PMV45EN2VL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV45EN2VL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMV45EN2VL 製品の属性
品番 :
PMV45EN2VL
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
42 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
209pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
510mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-236AB
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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