説明 :
MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
1.1A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
210 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
5nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
180pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
SuperSOT-3
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3