STMicroelectronics - STW18NM80

KEY Part #: K6396746

STW18NM80 価格設定(USD) [12518個在庫]

  • 1 pcs$3.08049
  • 10 pcs$2.77156
  • 100 pcs$2.27882
  • 500 pcs$1.90929
  • 1,000 pcs$1.66293

品番:
STW18NM80
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STW18NM80 electronic components. STW18NM80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW18NM80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW18NM80 製品の属性

品番 : STW18NM80
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
シリーズ : MDmesh™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 295 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2070pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 190W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • STFW69N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF.

  • STFW2N105K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF.

  • STI6N95K5

    STMicroelectronics

    NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET.

  • STI6N80K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK.

  • STI20N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK.