STH320N4F6-6 価格設定（USD） [29378個在庫]
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- 品番:
- STH320N4F6-6
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STH320N4F6-6 electronic components. STH320N4F6-6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STH320N4F6-6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STH320N4F6-6 製品の属性
品番 :
STH320N4F6-6
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
240nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
13800pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
H2PAK-6
パッケージ/ケース :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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