ON Semiconductor - FDB0630N1507L

KEY Part #: K6392827

FDB0630N1507L 価格設定(USD) [25024個在庫]

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品番:
FDB0630N1507L
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 130A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB0630N1507L 製品の属性

品番 : FDB0630N1507L
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 150V 130A
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 130A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.4 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9895pF @ 75V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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