ON Semiconductor - FDB0630N1507L

KEY Part #: K6392827

FDB0630N1507L 価格設定(USD) [25024個在庫]

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品番:
FDB0630N1507L
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 130A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB0630N1507L 製品の属性

品番 : FDB0630N1507L
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 150V 130A
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 130A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.4 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9895pF @ 75V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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